可控硅整流(怎样用50A可控硅制作弧焊机)
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2023-12-16
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1. 可控硅整流,怎样用50A可控硅制作弧焊机?
怎样用50A可控硅制作弧焊机?
答;单独一只50A可控硅是什么也干不了的。
作为单只50A可控硅配一套触发器来对电瓶充电好像很好。因为作为交流、直流焊机来说,引弧电流不太好控制,况且50A可控硅电流太小。
但如果用它来控制用于点孤焊变压器初级电流,来达到无级调压进行交流点弧焊是可行的。 另外要利用可控硅制作点弧焊机就得具有初级电子制作的技术水平。
例如;单向可控硅(SCR)由阳极(A)、阴极(K)、门极(G)组成。 可控硅在电路中工作条件,它必须配触发器来给它的阴极(K)与门极(G)施加触发电压,来使它开启。开启的θ角与输出电压成正比,就是说θ越大,它的输出电压越高。
于是人们利用双基极管(单结晶体管,BT31~BT35)的负特性 来实现对可控硅的移相触发。 下面是本人在2011参照《电子世界》文章中有关自制小功率交流点、弧焊机的电路图,而DlY制作一台点弧焊机的电路图。只是本人在原有的基础上加大了整流桥、变压器(T2)、可控硅的额定电流与功率。可见下图所示。
整个装置由T1(10VA220V变10V变压器。它的作用为带动一只9吋12v的直流轴流风扇来对焊机内部的T2变压器与50A的SCR晶闸管来实现强制散热,以保证焊机长时间工作)。
T2为一只220V变4~5V,额定输出功率为600VA的降压变压器。(因为整流桥和可控硅是自己现有的,无需掏钱再买。上面的电路图中的桥式整流桥与可控硅实际工作中,选用10均可以)。整流桥为一只25A/600V(注意,整流堆为发热器件,可用U型铝片,厚为2~3mm,面积80×80铝片,在上面打孔涂硅脂紧固),可控硅为一只50A/500V另加螺旋铝质散热器,将sCR与散热器旋紧紧固。直流电流为一只75mA的直流表头,配上0.35Ω分流电阻器,来组成0~20A直读式电流表,虽然不是很精确,但能观察电焊机的工作电流的太小,以便随时根据需焊工件要求来调节RP电位器的阻值,以改变输出的交流电压值的高低。FU为整个交流焊机输入的熔断器,选用熔断电流为5~8A为宜。R1(33KΩ/0.25W)串联一只LED发光二极管作为电源指示用。 双基极二极管可选用BT33F挡,作为ScR触发器主控电子器件,R2为BT33F管提供直流工作电压,电压大约在DC25~27V左右,电阻的功率选择在2W/56kΩ为宜。R3(300Ω/0.25W),R4(100Ω/0.25W),R5(10KΩ/0.25W),RP为调节电流大小的电位器,选择宜购的0~470KΩ的碳膜电位器,C2为RC充放电电容器,宜选金属氧膜电容器,其耐压值在400v,容量为0.047uF为宜。找一废旧电路板,将其板中的元件撤除掉,来依照上图进行重新组焊。这个电路就是一个功率较大一些的交流调压调光的电路,没有什么大不了的。
对于有电子制作经验的人來说,依葫芦画瓢就能把触发器与可控硅按照图纸弄好 。
这里最难一点的为T2的制作。下面就它来专们说一下。 己知要制作的变压器的功率在600VA,根据单相变压器求铁芯截面积公式,S=1.25√P=1.25√600=1.25×24.5≈31cm²。这时自已去到废品站去找一下,看有没有55mm×60mm(为E型硅钢片中间尺寸)。 接下来根据计算公式求变压器的初级电流,l=P/U=600/220=2.73A。 次级电压为4~5V,根据l=P/U=600/4.5V=133A,这个电流用于交流点弧焊小工件己经满足焊接条件了。 接下来计算初级线圈的总匝数。根据公式ωo=45/S=45/31=1.31。那么初级电压220v×1.45=319匝。有匝数、有电流了,接着计算初级导线的直径。根据公式d=0.72√l=0.72×√2.73=0.72×1.65=1.19mm,这个直径为1.19mm就是初级绕线时需要的规格漆包线。 再来计算T2低压侧的匝数 它由初级感应到次级有一个转换效率,所以计算公式就要比ωo大一些。公式为ω2=1.05×U2×ωo=1.05×5×1.31=6.88匝。有了匝数,再来计算二次低压侧导线的直径。根据公式d2=0.72√l=0.72×133=95mm。由于低压侧工作时电流大,一般漆包线没有这么大直经和截面积,此时可以用纱包耐温线代替,可用二股以上(达到133A电流)均可。
如果有废旧1kvA220v左右的交流调压器改起来最方便(注,要求220V输入端线为好的),次级侧可用大一点焊机焊把线直接在o内绕几匝,只需电压达到4~5v即可,很方便快捷。
以上个人观点,仅供参考。 知足常乐2018.3.24
2. 简述KGCfA型可控硅整流装置直流放大电路工作原理?
直流放大电路由差动放大器、电压放大器及射极输出器三部分构成。差动放大器采用双端输入,单端输出。当输入信号增加时,则放大电路中各晶体管的基极电位Ub,集电极电位U。及发射极电位Ue将发生如下变化:Ub4↑→Uc4↑→Ub2↑→Uc2↑→Ubl↑→Ucl个,即输入信号增加时,输出信号也增加。反之输入信号减小时,输出信号也减小。
3. 可控硅和中频加热原理?
三相交流电通过设备里的可控硅整流,变成脉动的直流电源,再通过可控硅逆变,向炉体输出1khz左右的交流[称中频]电能,中频电流通过炉体线圈时,把电能转换成磁场形式的磁能,也就是在炉体内产生交变磁场,当炉体内有钢材时,会在钢材内部感应出涡流,这个涡流会使钢材很快升温,将磁能转换成热能,从而最终完成电能和热能的转换。
4. 晶闸管承受的最大正反向电压最高是多少?
晶闸管承受的最大正反向电压一般是根据其型号和应用场景而定的。不同型号的晶闸管具有不同的额定电压和电流,因此在实际应用中,需要选择符合电路要求和规格的晶闸管。一般来说,晶闸管的最大正反向电压通常在额定电压的2-3倍之间。例如,一些常见的晶闸管型号,如KCP101、BTA06-600等,其最大正反向电压通常在600V左右。然而,对于一些高电压应用场景,需要使用更高耐压等级的晶闸管,例如SVG2000系列等,其最大正反向电压可达到2000V左右。需要注意的是,在实际应用中,晶闸管承受的最大正反向电压需要根据电路设计和实际运行情况进行综合考虑。除了晶闸管的额定参数外,还需要考虑电路中的其他元件如电阻、电容等对晶闸管耐压能力的影响。因此,在使用晶闸管时,需要根据具体的应用场景和电路要求进行选型和设计。
5. 3tt8f1可控硅参数?
可控硅整流器件 参数||型号|极限参数|直流参数|管腿排列|外形| IT A|VDRM V|VRRM V|PGM W|PG(AV) W|VTM|IDRM|IRRM|VGT|IGT|IH|dv/dt V/μS| V|ITM mA|μA|VDRM V|μA|VRRM V|V|VAK V|RL Ω|μA|VAK V|RL Ω|mA|VD V| 3CT06 3CT06E 3CT06F 3CT06G 3CT06H|0.6|300 400 500 600||0.1|0.01|1.7|0.6|10|300 400 500 600|10||0.8|7|100|5-150|7|100|5|7|5|KGA|TO-92| 3CT08 3CT08E 3CT08F 3CT08G 3CT08H|0.8|300 400 500 600|300 400 500 600|0.1|0.01|1.7|0.8|10|300 400 500 600|10|300
6. 可控硅触发电压多少伏?
可控硅的触发电压一般为1~2V,具体的参数可以查手册。 可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
7. bt151可控硅代换参数?
bt151可控硅 代换采用的是三星880处理器,这款三星880处理器采用的是三星八纳米的结构工艺,安兔兔跑分达到35万分,属于中低端的入门级别的5g处理器。
这款手机它还后置了1亿像素的高清摄像头,前置800万的像素的高清自拍摄像头,它内置4000毫安电池,支持55瓦快充。
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1. 可控硅整流,怎样用50A可控硅制作弧焊机?
怎样用50A可控硅制作弧焊机?
答;单独一只50A可控硅是什么也干不了的。
作为单只50A可控硅配一套触发器来对电瓶充电好像很好。因为作为交流、直流焊机来说,引弧电流不太好控制,况且50A可控硅电流太小。
但如果用它来控制用于点孤焊变压器初级电流,来达到无级调压进行交流点弧焊是可行的。 另外要利用可控硅制作点弧焊机就得具有初级电子制作的技术水平。
例如;单向可控硅(SCR)由阳极(A)、阴极(K)、门极(G)组成。 可控硅在电路中工作条件,它必须配触发器来给它的阴极(K)与门极(G)施加触发电压,来使它开启。开启的θ角与输出电压成正比,就是说θ越大,它的输出电压越高。
于是人们利用双基极管(单结晶体管,BT31~BT35)的负特性 来实现对可控硅的移相触发。 下面是本人在2011参照《电子世界》文章中有关自制小功率交流点、弧焊机的电路图,而DlY制作一台点弧焊机的电路图。只是本人在原有的基础上加大了整流桥、变压器(T2)、可控硅的额定电流与功率。可见下图所示。
整个装置由T1(10VA220V变10V变压器。它的作用为带动一只9吋12v的直流轴流风扇来对焊机内部的T2变压器与50A的SCR晶闸管来实现强制散热,以保证焊机长时间工作)。
T2为一只220V变4~5V,额定输出功率为600VA的降压变压器。(因为整流桥和可控硅是自己现有的,无需掏钱再买。上面的电路图中的桥式整流桥与可控硅实际工作中,选用10均可以)。整流桥为一只25A/600V(注意,整流堆为发热器件,可用U型铝片,厚为2~3mm,面积80×80铝片,在上面打孔涂硅脂紧固),可控硅为一只50A/500V另加螺旋铝质散热器,将sCR与散热器旋紧紧固。直流电流为一只75mA的直流表头,配上0.35Ω分流电阻器,来组成0~20A直读式电流表,虽然不是很精确,但能观察电焊机的工作电流的太小,以便随时根据需焊工件要求来调节RP电位器的阻值,以改变输出的交流电压值的高低。FU为整个交流焊机输入的熔断器,选用熔断电流为5~8A为宜。R1(33KΩ/0.25W)串联一只LED发光二极管作为电源指示用。 双基极二极管可选用BT33F挡,作为ScR触发器主控电子器件,R2为BT33F管提供直流工作电压,电压大约在DC25~27V左右,电阻的功率选择在2W/56kΩ为宜。R3(300Ω/0.25W),R4(100Ω/0.25W),R5(10KΩ/0.25W),RP为调节电流大小的电位器,选择宜购的0~470KΩ的碳膜电位器,C2为RC充放电电容器,宜选金属氧膜电容器,其耐压值在400v,容量为0.047uF为宜。找一废旧电路板,将其板中的元件撤除掉,来依照上图进行重新组焊。这个电路就是一个功率较大一些的交流调压调光的电路,没有什么大不了的。
对于有电子制作经验的人來说,依葫芦画瓢就能把触发器与可控硅按照图纸弄好 。
这里最难一点的为T2的制作。下面就它来专们说一下。 己知要制作的变压器的功率在600VA,根据单相变压器求铁芯截面积公式,S=1.25√P=1.25√600=1.25×24.5≈31cm²。这时自已去到废品站去找一下,看有没有55mm×60mm(为E型硅钢片中间尺寸)。 接下来根据计算公式求变压器的初级电流,l=P/U=600/220=2.73A。 次级电压为4~5V,根据l=P/U=600/4.5V=133A,这个电流用于交流点弧焊小工件己经满足焊接条件了。 接下来计算初级线圈的总匝数。根据公式ωo=45/S=45/31=1.31。那么初级电压220v×1.45=319匝。有匝数、有电流了,接着计算初级导线的直径。根据公式d=0.72√l=0.72×√2.73=0.72×1.65=1.19mm,这个直径为1.19mm就是初级绕线时需要的规格漆包线。 再来计算T2低压侧的匝数 它由初级感应到次级有一个转换效率,所以计算公式就要比ωo大一些。公式为ω2=1.05×U2×ωo=1.05×5×1.31=6.88匝。有了匝数,再来计算二次低压侧导线的直径。根据公式d2=0.72√l=0.72×133=95mm。由于低压侧工作时电流大,一般漆包线没有这么大直经和截面积,此时可以用纱包耐温线代替,可用二股以上(达到133A电流)均可。
如果有废旧1kvA220v左右的交流调压器改起来最方便(注,要求220V输入端线为好的),次级侧可用大一点焊机焊把线直接在o内绕几匝,只需电压达到4~5v即可,很方便快捷。
以上个人观点,仅供参考。 知足常乐2018.3.24
2. 简述KGCfA型可控硅整流装置直流放大电路工作原理?
直流放大电路由差动放大器、电压放大器及射极输出器三部分构成。差动放大器采用双端输入,单端输出。当输入信号增加时,则放大电路中各晶体管的基极电位Ub,集电极电位U。及发射极电位Ue将发生如下变化:Ub4↑→Uc4↑→Ub2↑→Uc2↑→Ubl↑→Ucl个,即输入信号增加时,输出信号也增加。反之输入信号减小时,输出信号也减小。
3. 可控硅和中频加热原理?
三相交流电通过设备里的可控硅整流,变成脉动的直流电源,再通过可控硅逆变,向炉体输出1khz左右的交流[称中频]电能,中频电流通过炉体线圈时,把电能转换成磁场形式的磁能,也就是在炉体内产生交变磁场,当炉体内有钢材时,会在钢材内部感应出涡流,这个涡流会使钢材很快升温,将磁能转换成热能,从而最终完成电能和热能的转换。
4. 晶闸管承受的最大正反向电压最高是多少?
晶闸管承受的最大正反向电压一般是根据其型号和应用场景而定的。不同型号的晶闸管具有不同的额定电压和电流,因此在实际应用中,需要选择符合电路要求和规格的晶闸管。一般来说,晶闸管的最大正反向电压通常在额定电压的2-3倍之间。例如,一些常见的晶闸管型号,如KCP101、BTA06-600等,其最大正反向电压通常在600V左右。然而,对于一些高电压应用场景,需要使用更高耐压等级的晶闸管,例如SVG2000系列等,其最大正反向电压可达到2000V左右。需要注意的是,在实际应用中,晶闸管承受的最大正反向电压需要根据电路设计和实际运行情况进行综合考虑。除了晶闸管的额定参数外,还需要考虑电路中的其他元件如电阻、电容等对晶闸管耐压能力的影响。因此,在使用晶闸管时,需要根据具体的应用场景和电路要求进行选型和设计。
5. 3tt8f1可控硅参数?
可控硅整流器件 参数||型号|极限参数|直流参数|管腿排列|外形| IT A|VDRM V|VRRM V|PGM W|PG(AV) W|VTM|IDRM|IRRM|VGT|IGT|IH|dv/dt V/μS| V|ITM mA|μA|VDRM V|μA|VRRM V|V|VAK V|RL Ω|μA|VAK V|RL Ω|mA|VD V| 3CT06 3CT06E 3CT06F 3CT06G 3CT06H|0.6|300 400 500 600||0.1|0.01|1.7|0.6|10|300 400 500 600|10||0.8|7|100|5-150|7|100|5|7|5|KGA|TO-92| 3CT08 3CT08E 3CT08F 3CT08G 3CT08H|0.8|300 400 500 600|300 400 500 600|0.1|0.01|1.7|0.8|10|300 400 500 600|10|300
6. 可控硅触发电压多少伏?
可控硅的触发电压一般为1~2V,具体的参数可以查手册。 可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。
家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
7. bt151可控硅代换参数?
bt151可控硅 代换采用的是三星880处理器,这款三星880处理器采用的是三星八纳米的结构工艺,安兔兔跑分达到35万分,属于中低端的入门级别的5g处理器。
这款手机它还后置了1亿像素的高清摄像头,前置800万的像素的高清自拍摄像头,它内置4000毫安电池,支持55瓦快充。
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